Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3590  MOSFET Tranzistor, N Kanál, 6.5 A, 80 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3590
Technical Data Sheet (184.37KB) EN Zobrazit všechny technické dokumenty

Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.

Přehled produktu

The FDS3590 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.
  • Low gate charge
  • Fast switching speed
  • High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
  • High power and current handling capability

Informace o produktu

Polarita Tranzistoru:
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id:
6.5A
Napětí Drain Source Vds:
80V
Rezistence při Zapnutí Rds(on):
0.032ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs:
10V
Prahové Napětí Vgs:
4V
Výkonové Ztráty Pd:
2.5W
Druh Pouzdra Tranzistoru:
SOIC
Počet Pinů:
8Pinů
Provozní Teplota Max:
150°C
Produktová Řada:
-
Specifikace Automobilového Standardu:
-
MSL:
MSL 1 - Neomezené
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Vyhledat podobné produkty  seskupené podle společných atributů

Aplikace

  • Řízení Napájení;
  • Průmyslový

Legislativa a životní prostředí

Citlivost na vlhkost:
MSL 1 - Neomezené
Země původu:
United States

Country in which last significant manufacturing process was carried out

Vyhovuje směrnici RoHS:
Ano
Tarif č.:
85412900
Hmotnost (kg):
.000187

Související produkty