Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB19N20LTM  MOSFET Tranzistor, N Kanál, 21 A, 200 V, 0.11 ohm, 10 V, 2 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB19N20LTM
Technical Data Sheet (1.00MB) EN Zobrazit všechny technické dokumenty

Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.

Přehled produktu

The FQB19N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
  • 100% Avalanche tested
  • 31nC Typical low gate charge
  • 30pF Typical low Crss

Informace o produktu

Polarita Tranzistoru:
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id:
21A
Napětí Drain Source Vds:
200V
Rezistence při Zapnutí Rds(on):
0.11ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs:
10V
Prahové Napětí Vgs:
2V
Výkonové Ztráty Pd:
3.13W
Druh Pouzdra Tranzistoru:
TO-263AB
Počet Pinů:
2Pinů
Provozní Teplota Max:
150°C
Produktová Řada:
-
Specifikace Automobilového Standardu:
-
MSL:
MSL 1 - Neomezené
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Vyhledat podobné produkty  seskupené podle společných atributů

Aplikace

  • Řízení Napájení;
  • Osvětlení

Legislativa a životní prostředí

Citlivost na vlhkost:
MSL 1 - Neomezené
Země původu:
South Korea

Country in which last significant manufacturing process was carried out

Vyhovuje směrnici RoHS:
Ano
Tarif č.:
85412900
Hmotnost (kg):
.001312