Low

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD8P10TM  MOSFET Tranzistor, P Kanál, -6.6 A, -100 V, 0.41 ohm, -10 V, -4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD8P10TM
Technical Data Sheet (1.36MB) EN Zobrazit všechny technické dokumenty

Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.

Přehled produktu

The FQD8P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
  • 100% Avalanche tested
  • 12nC Typical low gate charge
  • 30pF Typical low Crss

Informace o produktu

Polarita Tranzistoru:
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id:
-6.6A
Napětí Drain Source Vds:
-100V
Rezistence při Zapnutí Rds(on):
0.41ohm
Rds(on) Testovací Napětí Vgs:
-10V
Prahové Napětí Vgs:
-4V
Výkonové Ztráty Pd:
44W
Druh Pouzdra Tranzistoru:
TO-252AA
Počet Pinů:
3Pinů
Provozní Teplota Max:
150°C
Produktová Řada:
-
Specifikace Automobilového Standardu:
-
MSL:
MSL 1 - Neomezené
SVHC:
No SVHC (15-Jun-2015)

Vyhledat podobné produkty  seskupené podle společných atributů

Aplikace

  • Řízení Napájení;
  • Řízení & Ovládání Motorů;
  • Audio

Legislativa a životní prostředí

Citlivost na vlhkost:
MSL 1 - Neomezené
Země původu:
South Korea

Country in which last significant manufacturing process was carried out

Vyhovuje směrnici RoHS:
Ano
Tarif č.:
85412900
Hmotnost (kg):
.00026