Vytisknout stránku
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
MOSFET s Karbidem Křemíku, Half Bridge, N Kanál, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceFF4000UXTR33T2M1BPSA1
Objednací kód4568148
Produktová ŘadaXHP 2 Series
Alternativní označeníFF4000UXTR33T2M1, SP005965418
Technický list
7 Skladem
Potřebujete další?
EXPRESNÍ doručení do 1–2 pracovních dnů
Objednejte před 17:00
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 106 188.720 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
106 188.72 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceFF4000UXTR33T2M1BPSA1
Objednací kód4568148
Produktová ŘadaXHP 2 Series
Alternativní označeníFF4000UXTR33T2M1, SP005965418
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluHalf Bridge
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id500A
Napětí Drain Source Vds3.3kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí4800µohm
Druh Pouzdra TranzistoruModule
Počet Pinů15Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs15V
Prahové Napětí Vgs5.55V
Rozptýlený Výkon20mW
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 is an XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half-bridge module with .XT interconnection technology for decarbonizing transportation. Applications include energy storage systems, hydrogen electrolysis, photovoltaic, and traction, high-power converters, and high-frequency switching applications.
- CoolSiC™ MOSFET 3.3KV, Integrated body diode, XHP™ 2 housing
- Energy efficiency, high power density, enhanced lifetime
- High creepage and clearance distances, AlN substrate with low thermal resistance
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Drain-source voltage is 3300V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 500A at Tvj = 175 °C, VGS = 15V, TC = 35°C
- Drain-source on-resistance is 3.8mohm at VGS = 15V, Tvj = 25°C, D = 500A
- AG-XHP2K33 package
- Temperature under switching conditions range from -40 to 175°C
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Half Bridge
Trvalý Proud Drainu Id
500A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
4800µohm
Počet Pinů
15Pinů
Prahové Napětí Vgs
5.55V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
3.3kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
15V
Rozptýlený Výkon
20mW
Produktová Řada
XHP 2 Series
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů