Vytisknout stránku
GAN190-650EBEZ
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
2 142 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 72.481 Kč |
| 10+ | 70.726 Kč |
| 100+ | 66.964 Kč |
| 500+ | 62.951 Kč |
| 1000+ | 58.186 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
72.48 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceNEXPERIA
Č. dílu výrobceGAN190-650EBEZ
Objednací kód4198481
Technický list
Napětí Drain Source Vds650V
Trvalý Proud Drainu Id11.5A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.138ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)2.8nC
Druh Pouzdra TranzistoruDFN8080
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Počet Pinů8Pinů
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
650V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.138ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
DFN8080
Počet Pinů
8Pinů
Kvalifikace
-
Trvalý Proud Drainu Id
11.5A
Náboj Hradla Typ (Qg)
2.8nC
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000012