Vytisknout stránku
NID5100GW
Current Ideal Diode, Low Quiescent, 1.2V to 5.5V Sup, -40 °C to 125 °C, TSSOP-6
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
2 685 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 13.744 Kč |
| 10+ | 8.151 Kč |
| 100+ | 5.342 Kč |
| 500+ | 4.489 Kč |
| 1000+ | 3.486 Kč |
| 5000+ | 2.934 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
68.72 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceNEXPERIA
Č. dílu výrobceNID5100GW
Objednací kód4552191
Technický list
Napájecí Napětí Min1.2V
Napájecí Napětí Max5.5V
Pouzdro IOTSSOP
Počet Pinů6Pinů
Montáž IOPovrchová Montáž
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max125°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Napájecí Napětí Min
1.2V
Pouzdro IO
TSSOP
Montáž IO
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
125°C
Kvalifikace
-
Napájecí Napětí Max
5.5V
Počet Pinů
6Pinů
Provozní Teplota Min
-40°C
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů