Vytisknout stránku
3 109 Skladem
Potřebujete další?
.
.
Standardní doručení ZDARMA
pro objednávky za 0.00 Kč a více
Přesné dodací lhůty budou vypočteny u pokladny
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 15.525 Kč |
| 500+ | 12.440 Kč |
| 1000+ | 11.336 Kč |
| 5000+ | 9.129 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
1 672.50 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDD5N50NZTM
Objednací kód3368734RL
Produktová ŘadaUniFET II
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds500V
Trvalý Proud Drainu Id4A
Odpor Drain-Source při Zapnutí1.38ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs5V
Rozptýlený Výkon62W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaUniFET II
Kvalifikace-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
4A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
62W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
500V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
1.38ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
5V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
UniFET II
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0004
Sledovatelnost produktů