Vytisknout stránku
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 63
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 1000+ | 47.401 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1000
Více: 1000
47 401.00 Kč (bez DPH)
poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDP22N50N
Objednací kód3003997
Produktová ŘadaUniFET II
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds500V
Trvalý Proud Drainu Id22A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.185ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-220
Montáž TranzistoruSkrz Desku
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs5V
Rozptýlený Výkon312.5W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaUniFET II
Kvalifikace-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Přehled produktu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
22A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-220
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
312.5W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Napětí Drain Source Vds
500V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.185ohm
Montáž Tranzistoru
Skrz Desku
Prahové Napětí Vgs
5V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
UniFET II
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro FDP22N50N
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Y-Ex
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.0005
Sledovatelnost produktů