Vytisknout stránku
FDS6898A
Duální MOSFET, N Kanál, 20 V, 20 V, 9.4 A, 9.4 A, 0.01 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 16
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 2500+ | 9.982 Kč |
| 7500+ | 9.856 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno jako Celá Cívka)
Minimálně: 2500
Více: 2500
24 955.00 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceONSEMI
Č. dílu výrobceFDS6898A
Objednací kód2251969
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál20V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál9.4A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál9.4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.01ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.01ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál2W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
FDS6898A je dvojí N-kanálový, PWM optimalizovaný MOSFET s logickými úrovněmi, vyrobený pomocí vyspělého PowerTrench® procesu. Byl navržen obzvláště pro minimalizaci odporu v zapnutém stavu, avšak zachovává vynikající spínací výkon. Toto zařízení je velmi vhodné pro nízkonapěťové a bateriemi napájené aplikace, kde jsou požadovány nízké přímé výkonové ztráty a rychlé spínání.
- Nízký náboj hradla
- Vysoce výkonná Trench technologie pro extrémně nízké RDS (ON)
- Schopnost zpracovávat vysoký výkon a proud
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
9.4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.01ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
2W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
20V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
9.4A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.01ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000228
Sledovatelnost produktů