Vytisknout stránku
VNS1NV04DPTR-E
Výkonový MOSFET, N Kanál, 45 V, 1.7 A, 0.25 ohm, SOIC, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
18 149 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 33.607 Kč |
| 10+ | 24.654 Kč |
| 100+ | 20.089 Kč |
| 500+ | 19.838 Kč |
| 1000+ | 19.587 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
33.61 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceSTMICROELECTRONICS
Č. dílu výrobceVNS1NV04DPTR-E
Objednací kód2341721
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds45V
Trvalý Proud Drainu Id1.7A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.25ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs5V
Prahové Napětí Vgs500mV
Rozptýlený Výkon4W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max-
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
The VNS1NV04DPTR-E is a 40V Fully Auto Protected Power MOSFET formed by two monolithic OMNIFET II chips. The OMNIFET II is designed in VIPower™ M0-3 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
- Linear current limitation
- Thermal shutdown
- Short-circuit protection
- Integrated clamp
- Low current drawn from input pin
- Diagnostic feedback through input pin
- ESD protection
- Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
- Compatible with standard power MOSFET
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
1.7A
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
5V
Rozptýlený Výkon
4W
Provozní Teplota Max
-
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
45V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.25ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
500mV
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro VNS1NV04DPTR-E
Nalezen 1 produkt
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000319