Vytisknout stránku
D2219UK
RF FET Tranzistor, 40 V, 2 A, 17,5 W, 1 MHz, 1 GHz, SOIC
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceTT ELECTRONICS / SEMELAB
Č. dílu výrobceD2219UK
Objednací kód1856795
Technický list
Napětí Drain Source Vds40V
Trvalý Proud Drainu Id2A
Rozptýlený Výkon17.5W
Provozní Frekvence Min1MHz
Provozní Frekvence Max1GHz
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max200°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
Přehled produktu
The D2219UK is a metal gate RF Silicon FET with single ended configuration for HF/VHF/UHF communications from 1MHz to 1GHz applications. It is a gold metalized multi-purpose DMOS RF transistor features simplified amplifier design and suitable for broadband applications.
- Simple bias circuits
- Low noise
- High gain
- Low reverse transfer capacitance
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
40V
Rozptýlený Výkon
17.5W
Provozní Frekvence Max
1GHz
Počet Pinů
8Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
Trvalý Proud Drainu Id
2A
Provozní Frekvence Min
1MHz
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Provozní Teplota Max
200°C
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Technické dokumenty (2)
Související produkty
Nalezen 1 produkt
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Great Britain
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Great Britain
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001