Vytisknout stránku
H55S1G22MFP-60M
DRAM, SDR, 1 GB, 32M x 32bit, 166 MHz, FBGA, 90 Pinů
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceHYNIX SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceH55S1G22MFP-60M
Objednací kód1907382
Produktová ŘadaH55S Series
Technický list
Již není skladem
Informace o produktu
VýrobceHYNIX SEMICONDUCTOR
Č. dílu výrobceH55S1G22MFP-60M
Objednací kód1907382
Produktová ŘadaH55S Series
Technický list
Typ DRAMSDR
Hustota Paměti1GB
Konfigurace Paměti32M x 32bit
Hodinová Frekvence Max166MHz
Pouzdro IOFBGA
Počet Pinů90Pinů
Napájecí Napětí Nom1.8V
Montáž IOPovrchová Montáž
Provozní Teplota Min-30°C
Provozní Teplota Max85°C
Produktová ŘadaH55S Series
Technické specifikace
Typ DRAM
SDR
Konfigurace Paměti
32M x 32bit
Pouzdro IO
FBGA
Napájecí Napětí Nom
1.8V
Provozní Teplota Min
-30°C
Produktová Řada
H55S Series
Hustota Paměti
1GB
Hodinová Frekvence Max
166MHz
Počet Pinů
90Pinů
Montáž IO
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
85°C
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:South Korea
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423261
US ECCN:3A991.b.1.b.1
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000003