Vytisknout stránku
IRL6372PBF
Duální MOSFET, N Kanál, 30 V, 8.1 A, 0.014 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIRL6372PBF
Objednací kód1888167
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál-
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál8.1A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál-
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.014ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál-
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál2W
Výkonové Ztráty P Kanál-
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
The IRL6372PBF is a dual N-channel MOSFET designed for battery operated DC motor inverter MOSFET, system/load switch, charge and discharge switches for battery applications.
- Multi-vendor compatibility
- Halogen-free
- Increased reliability
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
-
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
-
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
-
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
-
Produktová Řada
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
8.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.014ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000181