Vytisknout stránku
SIR798DP-T1-GE3
Výkonový MOSFET, N Kanál, 30 V, 60 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceVISHAY
Č. dílu výrobceSIR798DP-T1-GE3
Objednací kód2283679
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds30V
Trvalý Proud Drainu Id60A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0017ohm
Druh Pouzdra TranzistoruPowerPAK SO
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs1V
Rozptýlený Výkon83W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Alternativy pro SIR798DP-T1-GE3
Nalezené produkty: 8
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
60A
Druh Pouzdra Tranzistoru
PowerPAK SO
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
83W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Napětí Drain Source Vds
30V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0017ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
1V
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Taiwan
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00012