LTC4451AV#TRPBF

LTC4451 je vysoce výkonná náhrada Schottkyho diody, využívající integrovaný N-kanálový výkonový MOSFET. Snadno vzájemně ORuje napájecí zdroje pro zvýšení spolehlivosti systému a zabraňuje reverznímu vedení. Reguluje napětí v propustném směru na 15 mV pro minimalizaci výkonové ztráty při porovnání se Schottkyho diodami. Regulace zajišťuje jemný přenos proud bez oscilací v diode-OR aplikacích. Pokud je výkonový MOSFET plně vylepšen, RDS(ON) tranzistoru je 21Mohm a určen pro vedení v propustném směru až do 7 A při ztrátě 1,34 W. Vysoce výkonný budič hradla s rychlou odezvou na mžikové jevy minimalizuje výkonové ztráty v propustném směru i reverzním proudu. VCC vstup umožňuje VIN pracovat již od uzemnění pro aplikace s nízkým napětím. Je použit v aplikacích jako náhrada Schottkyho diod, průmyslová, lékařská a spotřební přenosná zařízení, diode-OR baterie a nástěnného adaptéru, atd.

• Rychlé zapnutí minimalizuje úbytek napětí
• Rychlá obnova obnovy ze závěrného směru minimalizuje závěrný mžikový proud
• Provozní napájecí rozsah je 2,75 V až 5,5 V
• VCC proud je typicky 20 µA při (VIN = 2,75 V, VCC = 5,5 V, TA = 25 °C)
• Proud při vypnutí je typicky 0,8 µA při (SHDN# = 0 V, IOUT = 10 µA, TA = 25 °C)
• Rychlá doba zapnutí je typicky 0,3µs při (IOUT krok 50 mA do 6 A, TA = 25 °C)
• Provozní teplota přechodu je -40 °C až 125 °C
• Typ pouzdra je 16-vývodové plastové LQFN

Poznámky

ADI products are only authorized (and sold) for use by the customer and are not to be resold or otherwise passed on to any third party