Vytisknout stránku
IPB042N10N3GATMA1
Výkonový MOSFET, N Kanál, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIPB042N10N3GATMA1
Objednací kód2443431
Alternativní označeníIPB042N10N3 G, SP000446880
Technický list
2 964 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 45.395 Kč |
| 10+ | 34.610 Kč |
| 50+ | 33.106 Kč |
| 200+ | 26.334 Kč |
| 500+ | 24.027 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
45.40 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIPB042N10N3GATMA1
Objednací kód2443431
Alternativní označeníIPB042N10N3 G, SP000446880
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id100A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0036ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs2.7V
Rozptýlený Výkon214W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max175°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
100V Optima's™ 3 power-transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification.
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge xRDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Excellent switching performance
- World’s lowest R DS(on)
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
100A
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
214W
Provozní Teplota Max
175°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0036ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
2.7V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (1)
Alternativy pro IPB042N10N3GATMA1
Nalezené produkty: 4
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00181
Sledovatelnost produktů