IR2106PBF

IR2106PBF je vysokonapěťový vysokorychlostní výkonový MOSFET a IGBT high a low -side Budič s nezávislými výstupními kanály s referencí high a low-side. Proprietární HVIC a CMOS technologie imunní proti zablokování umožňují odolnou monolitickou konstrukci. Logický vstup je kompatibilní se standardním CMOS či LSTTL výstupem, logikou již od 3,3V. Budič výstupu obsahuje stupeň vysokého pulzního bufferu pro minimální přenos vodivosti přes budič. Plovoucí kanál může být použit pro buzení N-kanálového výkonového MOSFET či IGBT v high-side konfiguraci, která pracuje až do 600 V.

• Plovoucí kanál navržený pro bootstrap provoz
• Tolerance k negativnímu mžikovému napětí (dV/dt imunní)
• Blokování při podpětí pro oba kanály
• Kompatibilní s 3,3, 5 a 15 V logickým vstupem
• Shodná doba propagace pro oba kanály
• Logika a napájení s ±5V ofsetem
• Nižší di/dt budič hradla pro lepší imunitu proti šumu
• Výstupy ve fázi se vstupy