IRLML6402TRPBF

IRLML6402PBF je -20 V jeden P kanálový HEXFET výkonový MOSFET v Micro3 (SOT-23) pouzdře. Tento MOSFET nabízí extrémně nízký odpor při zapnutí na plochu čipu, odolnost, rychlé spínání, a jako výsledek jsou power MOSFET velmi dobře známy pro extrémní účinnost a spolehlivost, kterou lze využít v široké řadě aplikací jako správa baterie a zátěže, přenosných aplikacích a PCMCIA kartách, a desku plošných spojů, ve kterých je nedostatek místa.

• Napětí drain na source (Vds) -20 V
• Napětí gate na source ±12 V
• Rezistence při zapnutí Rds(on) 80mohm při Vgs -2,5 V
• Výkonové ztráty Pd 1,3 W při 25 °C
• Stálý proud drainu Id -3,7 A při Vgs -4,5 V a 25°C
• Provozní teplotní rozsah přechodu od -55 °C do 150 °C
• 0,01 W/°C lineární činitel odlehčení

Výstrahy

Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.