Vytisknout stránku
REFDR3KIMBGSIC2MATOBO1
Reference Design Board, 1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H, Isolated Gate Driver, SiC MOSFET
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceREFDR3KIMBGSIC2MATOBO1
Objednací kód4412438
Alternativní označeníREFDR3KIMBGSIC2M, SP005990399
Technický list
1 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 11 765.530 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
11 765.53 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceREFDR3KIMBGSIC2MATOBO1
Objednací kód4412438
Alternativní označeníREFDR3KIMBGSIC2M, SP005990399
Technický list
Výrobce ČipuInfineon
Číslo Křemíkového Jádra1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
Druh Použití SadyBudič Motoru
Podtyp PoužitíIsolated Gate Driver, SiC MOSFET
Architektura Jádra-
Podarchitektura Jádra-
Název Rodiny Polovodiče-
Složení SadyReference Design Board 1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
REFDR3KIMBGSIC2MATOBO1 is an upgraded inverter and gate driver board developed for servo motor and drive applications. Designed to evaluate the CoolSiC™ MOSFET 1200 V Generation 2 in TO-263-7 package, features IMBG120R040M2H as the main component for the 3-phase inverter board. The driver circuit incorporates the EiceDRIVER™ compact single-channel isolated gate driver, 1ED3122MC12H, with a Miller clamp function.
- 3-phase servo motor with integrated drive
- CoolSiC™ MOSFET 1200 V, 40mohm G2
- EiceDRIVER™ Compact, 10A, 5.7KV (rms)
- Insulated metallic substrate (IMS) PCBs
- Input voltage 350VDC to 800VDC and PCB diameter 110mm
- Output voltage 220VAC to 480VAC, output power of 4.2KW
- State-of-the-art Infineon technology
- Compacter design and PCBs with high thermal conductivity
- Passive cooling without cooling fans
- Overcurrent detection circuit and current sampling with isolated amplifier
Technické specifikace
Výrobce Čipu
Infineon
Druh Použití Sady
Budič Motoru
Architektura Jádra
-
Název Rodiny Polovodiče
-
Produktová Řada
-
Číslo Křemíkového Jádra
1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
Podtyp Použití
Isolated Gate Driver, SiC MOSFET
Podarchitektura Jádra
-
Složení Sady
Reference Design Board 1ED3122MC12H, IMBG120R040M2H
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:84733020
US ECCN:3A225
EU ECCN:3A225
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):1.2