LTC4358IFE#PBF

LTC®4358 je 5 A ideální dioda, která využívá interní 20mohm, N-kanálový MOSFET pro náhradu Schottkyho diody při použití v diode-OR aplikacích a aplikacích silnoproudých diod. LTC4358 snižuje spotřebu energie, tepelné ztráty a oblast na desce PS. Snadno ORuje napájecí zdroje pro zvýšení celkovou spolehlivost systému. V diode-OR aplikacích reguluje úbytek napětí v propustném směru napříč interním MOSFETem pro zajištění jemného přenosu proudu z jedné cesty na druhou bez oscilací. Aplikace zahrnují N+1 redundantní napájecí zdroje, systémy s vysokou dostupností, telekom infrastrukturu, automobilové systémy.

• Jemné přepínání bez oscilací
• Bez reverzního DC proudu
• Provozní napájecí rozsah od 9 do 26,5 V (TA = 25 °C. VOUT = VDD, VDD = 9 V až 26,5 V)
• Typický proud IN pinu je 350μA (VIN = VOUT ± 1 V, bez zátěže, TA = 25 °C)
• Typický proud OUT pinu je 80μA (VIN = VOUT ± 1 V, bez zátěže, TA = 25 °C)
• Typický pull up proud N-kanálového hradla je -20μA (VGATE = VIN, VIN - VOUT = 0,1 V, TA = 25 °C)
• Typická doba vypnutí je 300 ns (TA = 25 °C. VOUT = VDD, VDD = 9 V až 26,5 V)
• Typický pokles napětí diody těla v propustném směru je 0,8 V (IIN = 5 A, MOSFET vypnut, TA = 25 °C)
• 16-vývodové plastové TSSOP
• Rozsah jmenovité teploty od -40 °C do 85 °C

Poznámky

ADI products are only authorized (and sold) for use by the customer and are not to be resold or otherwise passed on to any third party