LTC4446IMS8E#PBF

LTC4446 je vysokofrekvenční vysokonapěťový budič hradla, který budí dva N-kanálové MOSFETy v DC/DC měniči s napájecím napětím až do 100 V. Schopnost tohoto výkonného budiče snižuje ztráty spínáním v MOSFETu s velkou kapacitou hradla. Pull up zařízení pro budič horní strany má špičkový výstupní proud 2,5 A a jeho pull-down má výstupní impedanci 1,2 Ohm. Pull-up pro budič dolní strany má špičkový výstupní proud 3 A a pull-down má výstupní impedanci 0,55 Ohm. Je konfigurován pro vstupy nezávislé na napájení. High side vstupní logický signál má interně posunutou úroveň na bootstrapované napájení, čímž může pracovat až do 114 V nad uzemnění. Obsahuje obvod blokování při podpětí, který po aktivaci vypíná externí MOSFETy. Je široce využíván v aplikacích jako distribuované napájecí architektury, automobilové napájecí zdroje, vysokohustotní napájecí moduly, telekomunikační systémy, atd.

• Široké VCC napětí je 7,2 V až 13,5 V
• TG špičkový pull-up proud je typicky 2,5 A při (TA = 25 °C, VCC = VBOOST = 12 V)
• BG špičkový pull-up proud je typicky 3 A při (TA = 25 °C, VCC = VBOOST = 12 V)
• Budí high i low side N-kanálové MOSFETy
• Blokování při podpětí
• Doba poklesu TG výstupu je typicky 5 ns při (10 % - 90 %, CL = 1nF, TA = 25 °C, VCC = VBOOST = 12 V)
• Doba náběhu TG výstupu je typicky 8 ns při (10 % - 90 %, CL = 1nF, TA = 25 °C, VCC = VBOOST = 12 V)
• Doba náběhu BG výstupu je typicky 6 ns při (10 % - 90 %, CL = 1nF, TA = 25 °C, VCC = VBOOST = 12 V)
• Doba poklesu BG výstupu je typicky 3 ns při (10 % - 90 %, CL = 1nF, TA = 25 °C, VCC = VBOOST = 12 V)
• Provozní teplota je -40 °C až 85 °C, typ pouzdra je 8-vývodové plastové MSOP

Poznámky

ADI products are only authorized (and sold) for use by the customer and are not to be resold or otherwise passed on to any third party