Vytisknout stránku
ATF-55143-TR1G
RF FET Tranzistor, 5 V, 100 mA, 270 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceBROADCOM
Č. dílu výrobceATF-55143-TR1G
Objednací kód1056825
Technický list
Napětí Drain Source Vds5V
Trvalý Proud Drainu Id100mA
Rozptýlený Výkon270mW
Provozní Frekvence Min450MHz
Provozní Frekvence Max6GHz
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-343
Počet Pinů4Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
Přehled produktu
The ATF-55143-TR1G is a 5V RF FET, low noise enhancement mode pseudomorphic HEMT in a surface technology. The combination of high gain, high linearity and low noise makes ideal for cellular sets. The system works in a frequency range of 450MHz to 6GHz.
- High linearity performance
- Single supply enhancement mode technology
- Very low noise figure
- Excellent uniformity in product specifications
- 400 Micron gate width
Výstrahy
ESD citlivé zařízení, dbejte patřičných pokynů při manipulaci se zařízením.
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
5V
Rozptýlený Výkon
270mW
Provozní Frekvence Max
6GHz
Počet Pinů
4Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
Trvalý Proud Drainu Id
100mA
Provozní Frekvence Min
450MHz
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-343
Provozní Teplota Max
150°C
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000006