Vytisknout stránku
ATF-54143-TR1G
RF FET Tranzistor, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceBROADCOM
Č. dílu výrobceATF-54143-TR1G
Objednací kód1056824RL
Technický list
Napětí Drain Source Vds5V
Trvalý Proud Drainu Id120mA
Rozptýlený Výkon725mW
Provozní Frekvence Min450MHz
Provozní Frekvence Max6GHz
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-343
Počet Pinů4Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Typ KanáluN Kanál
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Produktová Řada-
Přehled produktu
ATF-54143-TR1G je velmi nízkošumový pseudomorfní HEMT v režimu obohacení, v plastovém pouzdře pro povrchovou montáž. Kombinace vysokého zisku, vysoké linearity a nízkého šumu činí HFET ideální pro celulární/PSC základnové stanice.
- Vynikající uniformita specifikací produktu
- Šířka hradla 800 mikronů
- Nízké šumové číslo
- Vysoká linearita výkonu
- Technologie režimu obohacení
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
5V
Rozptýlený Výkon
725mW
Provozní Frekvence Max
6GHz
Počet Pinů
4Pinů
Typ Kanálu
N Kanál
Produktová Řada
-
Trvalý Proud Drainu Id
120mA
Provozní Frekvence Min
450MHz
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-343
Provozní Teplota Max
150°C
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Technické dokumenty (1)
Související produkty
Nalezené produkty: 2
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00068
Sledovatelnost produktů