Bipolární Tranzistory | Farnell Česká republika

Bipolární RF Tranzistory

Bipolární RF Tranzistory (500)

Jednoduché Tranzistory s Bipolárním Přechodem - BJT

Jednoduché Tranzistory s Bipolárním Přechodem - BJT (8 629)

Pole Tranzistorů s Bipolárním Přechodem - BJT

Pole Tranzistorů s Bipolárním Přechodem - BJT (1 223)

Pre-Biased / Digitální Bipolární Tranzistory

Pre-Biased / Digitální Bipolární Tranzistory (4 731)

předních výrobců

ONSEMI

NEXPERIA

VISHAY

STMICROELECTRONICS

MULTICOMP PRO

INFINEON

NXP

ROHM

New Semiconductors - Discretes

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

650 V, Gallium Nitride (GaN) FET

NEXPERIA

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter

H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter

ONSEMI

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

Silicon-carbide (SiC) N-Channel Power MOSFET

MICROCHIP

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

SIC Mosfet Module, 900V, 149A

ONSEMI

onsemi EliteSiC - 650V to 1700V - Now in stock

onsemi EliteSiC - 650V to 1700V - Now in stock

ONSEMI

Low Noise PrestoMOS™ - High Speed Trr Series

Low Noise PrestoMOS™ - High Speed Trr Series

ROHM

INSPIRUJEME DALŠÍ GENERACE

INSPIRUJEME DALŠÍ GENERACE

Pomáháme inženýrům, pedagogům a inovátorům zítřka

TOSHIBA

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS VI)

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS VI)

nexperia

NEXPERIA

Upgradujte napájecí aplikace ještě dnes

Rozsáhlé produktové portfolio a neustálé rozšiřování nabídky