CY62128ELL-45SXI

CY62128ELL-45SXI je 1 MB, vysoce výkonná CMOS statická paměť s náhodným přístupem (SRAM), organizovaná jako 128 K slov po 8 bitech. Toto zařízení nabízí vyspělý design obvodu pro dosažení ultra nízkého aktivního proudu. Toto je ideální pro poskytnutí More Battery Life™ (MoBL®) v přenosných aplikacích. Zařízení nabízí také funkci automatického snížení příkonu, která značně redukuje spotřebu energie, pokud nejsou adresy voleny. Přepnutí zařízení do pohotovostního režimu redukuje spotřebu energie o více než 99 % při nezvolení. Osm vstupních a výstupních pinů je přepnuto do vysokoimpedančního stavu při nezvolení zařízení, výstupy jsou vypnuty, nebo probíhá operace zápisu. Pro zápis do zařízení musí být vstup chip enable a write enable v nízké. Pro čtení ze zařízení přepněte chip enable a output enable do nízké, zatímco je write enable musí být ve vysoké. V těchto stavech je specifikováno umístění v paměti pomocí adresních pinů, připojených k I/O pinům.

• Velmi vysoká rychlost - 45 ns
• Pinově kompatibilní s CY62128B
• Ultra nízká pohotovostní spotřeba
• Ultra nízký aktivní příkon
• Snadné rozšíření paměti s CE1, CE2 a OE
• Automatické snížení příkonu při nezvolení
• CMOS pro optimální rychlost/příkon