Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceS29GL01GT10TFI010
Objednací kód2768056
Produktová Řada3V Parallel NOR Flash Memories
Alternativní označeníSP005664115, S29GL01GT10TFI010
Technický list
1 595 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 299.957 Kč |
10+ | 282.652 Kč |
25+ | 277.636 Kč |
50+ | 260.832 Kč |
100+ | 259.829 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
299.96 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceS29GL01GT10TFI010
Objednací kód2768056
Produktová Řada3V Parallel NOR Flash Memories
Alternativní označeníSP005664115, S29GL01GT10TFI010
Technický list
Typ Flash PamětiParalelní NOR
Hustota Paměti1Gbit
Konfigurace Paměti128M x 8bit
RozhraníCFI, Paralelní
Pouzdro IOTSOP
Počet Pinů56Pinů
Hodinová Frekvence Max-
Přístupová Doba100ns
Napájecí Napětí Min2.7V
Napájecí Napětí Max3.6V
Napájecí Napětí Nom-
Montáž IOPovrchová Montáž
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max85°C
Produktová Řada3V Parallel NOR Flash Memories
MSLMSL 3 - 168 hodin
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
S29GL01GT10TFI010 is a 1Gb (128MB), parallel 3.0V, GL-T MIRRORBIT™ flash memory. This device offers a fast page access time as fast as 15ns, with a corresponding random access time as fast as 100ns. It features a write buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. It makes this device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.
- 100ns random access time speed, fabricated on 45nm process technology
- VIO=VCC=2.7V to 3.6V, highest address sector protected CFI Version 1.5
- Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7V to 3.6V)
- Versatile I/O feature - wide I/O voltage range (VIO) 1.65V to VCC
- ×8/×16 data bus, asynchronous 32-byte page read
- Automatic error checking and correction (ECC) internal hardware ECC with single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20-year data retention
- TSOP package, industrial temperature range from -40°C to +85°C
Technické specifikace
Typ Flash Paměti
Paralelní NOR
Konfigurace Paměti
128M x 8bit
Pouzdro IO
TSOP
Hodinová Frekvence Max
-
Napájecí Napětí Min
2.7V
Napájecí Napětí Nom
-
Provozní Teplota Min
-40°C
Produktová Řada
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Hustota Paměti
1Gbit
Rozhraní
CFI, Paralelní
Počet Pinů
56Pinů
Přístupová Doba
100ns
Napájecí Napětí Max
3.6V
Montáž IO
Povrchová Montáž
Provozní Teplota Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hodin
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.003714
Sledovatelnost produktů