Vytisknout stránku
DMN65D8L-7
Výkonový MOSFET, N Kanál, 60 V, 310 mA, 3 ohm, SOT-23, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
235 183 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 500+ | 0.908 Kč |
| 1500+ | 0.895 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 500
Více: 5
574.00 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceDIODES INC.
Č. dílu výrobceDMN65D8L-7
Objednací kód2543546RL
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds60V
Trvalý Proud Drainu Id310mA
Odpor Drain-Source při Zapnutí3ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-23
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs2V
Rozptýlený Výkon370mW
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
DMN65D8L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include DC-DC converters, power-management functions, battery-operated systems and solid-state relays, drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories, transistors, etc.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Small surface-mount package, ESD protected gate
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 310mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 800mA at TA = +25°C
- Total power dissipation is 370mW at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
310mA
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-23
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
370mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Napětí Drain Source Vds
60V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
3ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
2V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Alternativy pro DMN65D8L-7
Nalezené produkty: 2
Související produkty
Nalezené produkty: 3
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.005