Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
5 040 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
5+ | 19.813 Kč |
50+ | 13.669 Kč |
100+ | 8.352 Kč |
500+ | 7.449 Kč |
1000+ | 6.646 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
99.06 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceDIODES INC.
Č. dílu výrobceDMP10H400SE-13
Objednací kód3127352
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id6A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.25ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-223
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs2.2V
Rozptýlený Výkon2W
Počet Pinů4Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
DMP10H400SE-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include motor control, DC-DC converters, power management functions, uninterrupted power supply.
- Low gate drive, low input capacitance, fast switching speed
- Drain-source voltage is -100V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -6A at TC = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current (380µs pulse, duty cycle = 1%) is -10A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 2W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 250mohm max at VGS = -10V, ID = -5A, TA = +25°C
- Maximum body diode forward current is -1.9A at TA = +25°C
- SOT223 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
6A
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-223
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
2W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Napětí Drain Source Vds
100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.25ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
2.2V
Počet Pinů
4Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00185
Sledovatelnost produktů