Vytisknout stránku
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
913 Skladem
2 500 Nyní si můžete rezervovat zásoby na skladě
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
100+ | 8.026 Kč |
500+ | 6.044 Kč |
1000+ | 5.969 Kč |
5000+ | 5.392 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
922.60 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceDIODES INC.
Č. dílu výrobceDMP10H400SK3-13
Objednací kód3127353RL
Technický list
Polarita TranzistoruP Kanál
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id9A
Rezistence při Zapnutí Rds(on)0.19ohm
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.24ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-252 (DPAK)
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs3V
Výkonové Ztráty Pd42W
Rozptýlený Výkon42W
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Specifikace Automobilového Standardu-
MSLMSL 1 - Neomezené
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Přehled produktu
DMP10H400SK3-13 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include power management functions, DC-DC converters and analogue switches.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Drain-source voltage is -100V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is -9A at TC = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is -15A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 42W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 240mohm max at VGS = -10V, ID = -5A, TA = +25°C
- Maximum body diode forward current is -4A at TA = +25°C
- TO252 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Polarita Tranzistoru
P Kanál
Napětí Drain Source Vds
100V
Rezistence při Zapnutí Rds(on)
0.19ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Výkonové Ztráty Pd
42W
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
-
Specifikace Automobilového Standardu
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Typ Kanálu
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
9A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.24ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
3V
Rozptýlený Výkon
42W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000384
Sledovatelnost produktů