Vytisknout stránku
ZXMHC3A01T8TA
Duální MOSFET, Režim Obohacení, Komplementární N a P Kanál, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.12 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
Informace o produktu
VýrobceDIODES INC.
Č. dílu výrobceZXMHC3A01T8TA
Objednací kód2061506RL
Technický list
Typ KanáluKomplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál3.1A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál3.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.12ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.12ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.3W
Výkonové Ztráty P Kanál1.3W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Technické specifikace
Typ Kanálu
Komplementární N a P Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
3.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.12ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.3W
Produktová Řada
-
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
3.1A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.12ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
1.3W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000074