Vytisknout stránku
Informace o produktu
VýrobceGENESIC
Č. dílu výrobceG2R1000MT17D
Objednací kód3598643
Produktová ŘadaG2R
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id4A
Napětí Drain Source Vds1.7kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí1ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Počet Pinů3Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs20V
Prahové Napětí Vgs4V
Rozptýlený Výkon53W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaG2R
SVHCLead (19-Jan-2021)
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
4A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
1ohm
Počet Pinů
3Pinů
Prahové Napětí Vgs
4V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.7kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
20V
Rozptýlený Výkon
53W
Produktová Řada
G2R
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.008187