Vytisknout stránku
124 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
Množství | |
---|---|
1+ | 446.675 Kč |
5+ | 425.357 Kč |
10+ | 403.788 Kč |
50+ | 387.737 Kč |
100+ | 377.705 Kč |
250+ | 367.673 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
446.68 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceGENESIC
Č. dílu výrobceG2R1000MT33J
Objednací kód3598638
Produktová ŘadaG2R
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id4A
Napětí Drain Source Vds3.3kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí1ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Počet Pinů7Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs20V
Prahové Napětí Vgs3.5V
Rozptýlený Výkon74W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaG2R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
4A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
1ohm
Počet Pinů
7Pinů
Prahové Napětí Vgs
3.5V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
3.3kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
20V
Rozptýlený Výkon
74W
Produktová Řada
G2R
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001393