Vytisknout stránku
161 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 2 585.748 Kč |
| 5+ | 2 513.768 Kč |
| 10+ | 2 441.538 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
2 585.75 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceGENESIC
Č. dílu výrobceG2R120MT33J
Objednací kód3598634
Produktová ŘadaG2R
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id35A
Napětí Drain Source Vds3.3kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.12ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Počet Pinů7Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs20V
Prahové Napětí Vgs4.5V
Rozptýlený Výkon402W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaG2R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
35A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.12ohm
Počet Pinů
7Pinů
Prahové Napětí Vgs
4.5V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
3.3kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
20V
Rozptýlený Výkon
402W
Produktová Řada
G2R
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001393