Vytisknout stránku
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 7
Upozorněte mě při naskladnění
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 2 562.173 Kč |
| 5+ | 2 434.516 Kč |
| 10+ | 2 306.608 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
2 562.17 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceGENESIC
Č. dílu výrobceG3R20MT17K
Objednací kód3598657
Produktová ŘadaG3R
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id124A
Napětí Drain Source Vds1.7kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.02ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Počet Pinů4Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs15V
Prahové Napětí Vgs2.7V
Rozptýlený Výkon809W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Přehled produktu
G3R20MT17K is a N-channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Applications includes EV fast charging, solar inverters, industrial motor drives, transportation, industrial power supply, smart grid and HVDC, induction heating and welding, pulsed power.
- Drain-source voltage is 1700V (V=0V, I=100µA, T=25°C), RDS(ON) is 20mohm typ (T=25°C, VGS=15V)
- G3R™ Technology with +15V gate drive, softer R v/s temperature dependency
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, smaller R and lower Q
- Low device capacitances (C0ss, CRss ), superior cost-performance index
- Robust body diode with low V and low QRR, industry-leading UIL & short-circuit robustness
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Reduced ringing, faster, more efficient switching, continuous forward current is 67A (T=100°C)
- Lesser switching spikes and lower losses, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- TO-247-4 package, operating temperature range from -55 to 175°C
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
124A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.02ohm
Počet Pinů
4Pinů
Prahové Napětí Vgs
2.7V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.7kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
15V
Rozptýlený Výkon
809W
Produktová Řada
G3R
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001393