Vytisknout stránku
289 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 539.220 Kč |
| 5+ | 517.400 Kč |
| 10+ | 495.330 Kč |
| 50+ | 487.555 Kč |
| 100+ | 479.780 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
539.22 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceGENESIC
Č. dílu výrobceG3R30MT12K
Objednací kód3598641
Produktová ŘadaG3R
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id90A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.03ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-247
Počet Pinů4Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs15V
Prahové Napětí Vgs2.69V
Rozptýlený Výkon281W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Přehled produktu
G3R30MT12K is a 1200V, 30mohm, N-channel enhancement mode, silicon carbide MOSFET. Applications include solar inverters, motor drives, EV charging, high voltage DC-DC converters, switched mode power supplies, UPS, smart grid transmission and distribution, induction heating and welding.
- G3R™ (3rd generation) technology, low temperature coefficient of RDS(ON)
- Lower Q and smaller RG(INT), low device capacitances (COSS, CRSS)
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR, 100% avalanche (UIL) tested
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Reduced ringing, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- Operating and storage temperature range from -55 to 175°C, TO-247-4 package
- Continuous forward current is 50A at Tc = 100°C, V = -5 / +15V
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
90A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.03ohm
Počet Pinů
4Pinů
Prahové Napětí Vgs
2.69V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-247
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
15V
Rozptýlený Výkon
281W
Produktová Řada
G3R
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001393