Vytisknout stránku
K dispozici pro objednání
Obvyklá doba realizace výrobce Počet týdnů: 6
Upozorněte mě při naskladnění
Množství | |
---|---|
1+ | 255.565 Kč |
5+ | 250.549 Kč |
10+ | 245.282 Kč |
50+ | 240.266 Kč |
100+ | 235.000 Kč |
250+ | 229.984 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
255.56 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceGENESIC
Č. dílu výrobceG3R75MT12J
Objednací kód3598631
Produktová ŘadaG3R
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluJeden
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id42A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.075ohm
Druh Pouzdra TranzistoruTO-263 (D2PAK)
Počet Pinů7Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs15V
Prahové Napětí Vgs2.69V
Rozptýlený Výkon224W
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaG3R
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Jeden
Trvalý Proud Drainu Id
42A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.075ohm
Počet Pinů
7Pinů
Prahové Napětí Vgs
2.69V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
15V
Rozptýlený Výkon
224W
Produktová Řada
G3R
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:United States
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.001393