Vytisknout stránku
2ED21091S06FXUMA1
Budič Hradla, 2 Zesilovačů, Poloviční Můstek, IGBT, MOSFET, 8 Pinů, SOIC
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobce2ED21091S06FXUMA1
Objednací kód3282253RL
Alternativní označení2ED21091S06F, SP001710060
Technický list
1 989 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 13.242 Kč |
| 250+ | 12.816 Kč |
| 500+ | 12.615 Kč |
| 1000+ | 12.390 Kč |
| 2500+ | 11.963 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
1 444.20 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobce2ED21091S06FXUMA1
Objednací kód3282253RL
Alternativní označení2ED21091S06F, SP001710060
Technický list
Počet Kanálů2Zesilovačů
Typ Budiče Hradla-
Konfigurace BudičePoloviční Můstek
Typ Výkonového SpínačeIGBT, MOSFET
Počet Pinů8Pinů
Druh Pouzdra BudičeSOIC
Pouzdro IOSOIC
Montáž IOPovrchová Montáž
Typ Vstupu-
Proud Zdroje290mA
Proud Spotřebiče700mA
Napájecí Napětí Min10V
Napájecí Napětí Max20V
Provozní Teplota Min-40°C
Provozní Teplota Max125°C
Vstupní Prodleva740ns
Výstupní Prodleva200ns
Produktová Řada-
Kvalifikace-
MSLMSL 3 - 168 hodin
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení dodacích lhůt. Dodací lhůty se mohou měnit. Na produkt se nevztahují slevy.
Technické specifikace
Počet Kanálů
2Zesilovačů
Konfigurace Budiče
Poloviční Můstek
Počet Pinů
8Pinů
Pouzdro IO
SOIC
Typ Vstupu
-
Proud Spotřebiče
700mA
Napájecí Napětí Max
20V
Provozní Teplota Max
125°C
Výstupní Prodleva
200ns
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Typ Budiče Hradla
-
Typ Výkonového Spínače
IGBT, MOSFET
Druh Pouzdra Budiče
SOIC
Montáž IO
Povrchová Montáž
Proud Zdroje
290mA
Napájecí Napětí Min
10V
Provozní Teplota Min
-40°C
Vstupní Prodleva
740ns
Produktová Řada
-
MSL
MSL 3 - 168 hodin
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00045
Sledovatelnost produktů