Vytisknout stránku
BAT1504RE6152HTSA1
RF Schottkyho Dioda, Dvojitá Sériová, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceBAT1504RE6152HTSA1
Objednací kód2787837
Alternativní označeníBAT 15-04R E6152, SP000960186
Technický list
3 450 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 11.487 Kč |
| 10+ | 9.882 Kč |
| 100+ | 6.872 Kč |
| 500+ | 5.367 Kč |
| 1000+ | 4.464 Kč |
| 5000+ | 3.586 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
57.44 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceBAT1504RE6152HTSA1
Objednací kód2787837
Alternativní označeníBAT 15-04R E6152, SP000960186
Technický list
Konfigurace DiodyDvojitá Sériová
Napětí v Závěrném Směru4V
Proud v Propustném Směru110mA
Napětí v Propustném Směru300mV
Kapacita Diody0.25pF
Druh Pouzdra DiodySOT-23
Počet Pinů3 Piny
Upevnění DiodyPovrchová Montáž
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
Silicon RF Schottky diode suitable for use with mixers and detectors in satellite systems, low noise blocks for Ku bands and security systems.
- Silicon low barrier N-type device with integrated guard ring on-chip for over-voltage protection
- Low inductance and low capacitance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Reverse series pair pin configuration
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Konfigurace Diody
Dvojitá Sériová
Proud v Propustném Směru
110mA
Kapacita Diody
0.25pF
Počet Pinů
3 Piny
Provozní Teplota Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí v Závěrném Směru
4V
Napětí v Propustném Směru
300mV
Druh Pouzdra Diody
SOT-23
Upevnění Diody
Povrchová Montáž
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000002
Sledovatelnost produktů