Vytisknout stránku
BSO220N03MDGXUMA1
Duální MOSFET, N Kanál, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceBSO220N03MDGXUMA1
Objednací kód2432714
Alternativní označeníBSO220N03MD G, SP000447478
Technický list
5 036 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 25.331 Kč |
| 50+ | 11.236 Kč |
| 100+ | 8.026 Kč |
| 500+ | 6.947 Kč |
| 1000+ | 6.546 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
126.66 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceBSO220N03MDGXUMA1
Objednací kód2432714
Alternativní označeníBSO220N03MD G, SP000447478
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds, N Kanál30V
Napětí Drain Source Vds, P Kanál30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál6A
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál6A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál0.0183ohm
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál0.0183ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOIC
Počet Pinů8Pinů
Výkonové Ztráty N Kanál1.4W
Výkonové Ztráty P Kanál1.4W
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
The BSO220N03MD G is a dual N-channel MOSFET optimized for 5V driver application (notebook, VGA and POL) and qualified for consumer level application. The ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages make OptiMOS™ power MOSFETs the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in server, data-com and telecom applications.
- Low FOMSW for high frequency SMPS
- 100% Avalanche tested
- Very low ON-resistance
- Excellent gate charge
- Halogen-free
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds, P Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, P Kanál
6A
Odpor Drain-Source př Zapnutí P Kanál
0.0183ohm
Počet Pinů
8Pinů
Výkonové Ztráty P Kanál
1.4W
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Napětí Drain Source Vds, N Kanál
30V
Trvalý Proud Drainu Id, N Kanál
6A
Odpor Drain-Source př Zapnutí N Kanál
0.0183ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOIC
Výkonové Ztráty N Kanál
1.4W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000006