Vytisknout stránku
BSS84PH6327XTSA2
Výkonový MOSFET, P Kanál, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceBSS84PH6327XTSA2
Objednací kód1056526
Produktová ŘadaSIPMOS Series
Alternativní označeníBSS84P H6327, SP000929186
Technický list
1 022 933 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 5+ | 5.016 Kč |
| 10+ | 2.292 Kč |
| 100+ | 1.838 Kč |
| 500+ | 1.648 Kč |
| 1000+ | 1.457 Kč |
| 5000+ | 1.124 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 5
Více: 5
25.08 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceBSS84PH6327XTSA2
Objednací kód1056526
Produktová ŘadaSIPMOS Series
Alternativní označeníBSS84P H6327, SP000929186
Technický list
Typ KanáluP Kanál
Napětí Drain Source Vds60V
Trvalý Proud Drainu Id170mA
Odpor Drain-Source při Zapnutí8ohm
Druh Pouzdra TranzistoruSOT-23
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs1.5V
Rozptýlený Výkon360mW
Počet Pinů3Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaSIPMOS Series
KvalifikaceAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
BSS84P H6327 od Infineon je povrchově montovaný, P kanálový SIPMOS tranzistor pro logické úrovně v režimu obohacení pro slabé signály v SOT-23 pouzdře. Zařízení nabízí dv/dt a Lavinové hodnoty.
- Kvalifikováno v automobilové třídě AEC-Q101
- Napětí drain na source ±-60 V
- Napětí gate na source ±20V
- Stálý proud drainu (Id) -170 mA
- Výkonové ztráty (pd) 360mW
- Provozní teplotní rozsah -55 °C do 150 °C
- Nízký odpor v zapnutém stavu 8ohm při Vgs -4,5 V
Výstrahy
Poptávka na trhu po tomto produktu způsobila prodloužení doby naskladnění, dodací lhůty se mohou měnit
Technické specifikace
Typ Kanálu
P Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
170mA
Druh Pouzdra Tranzistoru
SOT-23
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
360mW
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
60V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
8ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
1.5V
Počet Pinů
3Pinů
Produktová Řada
SIPMOS Series
MSL
-
Technické dokumenty (3)
Alternativy pro BSS84PH6327XTSA2
Nalezené produkty: 4
Související produkty
Nalezené produkty: 3
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:China
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000033