Vytisknout stránku
BSZ050N03LSGATMA1
Výkonový MOSFET, N Kanál, 30 V, 40 A, 0.005 ohm, PG-TSDSON, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceBSZ050N03LSGATMA1
Objednací kód1775495
Alternativní označeníBSZ050N03LS G, SP000304139
Technický list
19 069 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 9.781 Kč |
| 10+ | 7.424 Kč |
| 100+ | 6.069 Kč |
| 500+ | 5.342 Kč |
| 1000+ | 4.815 Kč |
| 5000+ | 4.615 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
9.78 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceBSZ050N03LSGATMA1
Objednací kód1775495
Alternativní označeníBSZ050N03LS G, SP000304139
Technický list
Typ KanáluN Kanál
Napětí Drain Source Vds30V
Trvalý Proud Drainu Id40A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.005ohm
Druh Pouzdra TranzistoruPG-TSDSON
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Rds(on) Testovací Napětí Vgs10V
Prahové Napětí Vgs1V
Rozptýlený Výkon50W
Počet Pinů8Pinů
Provozní Teplota Max150°C
Produktová Řada-
Kvalifikace-
Přehled produktu
The BSZ050N03LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Logic level
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Superior thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free, Green device
Výstrahy
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technické specifikace
Typ Kanálu
N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id
40A
Druh Pouzdra Tranzistoru
PG-TSDSON
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
10V
Rozptýlený Výkon
50W
Provozní Teplota Max
150°C
Kvalifikace
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napětí Drain Source Vds
30V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.005ohm
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Prahové Napětí Vgs
1V
Počet Pinů
8Pinů
Produktová Řada
-
MSL
MSL 1 - Neomezené
Technické dokumenty (1)
Alternativy pro BSZ050N03LSGATMA1
Nalezené produkty: 8
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.002
Sledovatelnost produktů