Vytisknout stránku
EVALPSE1BF12SICTOBO1
Zkušební Deska, FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B1, SiC MOSFET
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceEVALPSE1BF12SICTOBO1
Objednací kód3500939
Alternativní označeníSP001798382
Technický list
2 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 8 034.880 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
8 034.88 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceEVALPSE1BF12SICTOBO1
Objednací kód3500939
Alternativní označeníSP001798382
Technický list
Výrobce ČipuInfineon
Číslo Křemíkového JádraFF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Druh Použití SadySpráva Napájení
Podtyp PoužitíSiC MOSFET Modul
Složení SadyZkušební Deska FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
Produktová Řada-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Přehled produktu
Evaluation board for CoolSiC™ Easy1B half-bridge modules. This board has the purpose to enable the evaluation of the FF11MR12W1M1_B11 and FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC™ MOSFET modules with EiceDRIVER™ 1200V isolated gate driver 1EDI60I12AF. The evaluation board allows the performance of double-pulse measurements as well as functional tests as DC/DC converter. Therefore the board is designed as bidirectional buck-boost converter. Target applications include charger, solar energy systems and UPS.
- Double pulse characterization
- Functional testing of the buck-boost operation using electrical loads at the input or output stage
- Maximum supply voltage of 900V
Technické specifikace
Výrobce Čipu
Infineon
Druh Použití Sady
Správa Napájení
Složení Sady
Zkušební Deska FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Číslo Křemíkového Jádra
FF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Podtyp Použití
SiC MOSFET Modul
Produktová Řada
-
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.25