Vytisknout stránku
FF2600UXTR33T2M1BPSA1
MOSFET s Karbidem Křemíku, Half Bridge, Dvojí N Kanál, 720 A, 3.3 kV, 0.0031 ohm, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Objednací kód4574879
Produktová ŘadaXHP 2 Series
Alternativní označeníFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
Technický list
2 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 138 617.160 Kč |
Cena za:Každý
Minimálně: 1
Více: 1
138 617.16 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceFF2600UXTR33T2M1BPSA1
Objednací kód4574879
Produktová ŘadaXHP 2 Series
Alternativní označeníFF2600UXTR33T2M1, SP005404848
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluHalf Bridge
Typ KanáluDvojí N Kanál
Trvalý Proud Drainu Id720A
Napětí Drain Source Vds3.3kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0031ohm
Druh Pouzdra TranzistoruModule
Počet Pinů15Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs15V
Prahové Napětí Vgs5.55V
Rozptýlený Výkon20mW
Provozní Teplota Max175°C
Produktová ŘadaXHP 2 Series
Přehled produktu
FF2600UXTR33T2M1BPSA1 is a 3.3KV, XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half bridge module. Suitable for traction drives, high-power converters, high-frequency switching application applications.
- Electrical features: VDSS = 3300V, IDN = 750A / IDRM = 1500A, Tvj,op = 175°C
- Low switching losses, high current density, low inductive design
- Mechanical features: high power density, high creepage and clearance distances
- Package with CTI > 600, Rds(on) Test Voltage 15V
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- AlN substrate with low thermal resistance
- 3.1mohm drain-source on-resistance at ID = 750A, VGS = 15V, Tvj = 25°C
- 720A Continuous DC drain current at Tvj = 175°C, VGS = 15V, TC = 25°C
- 5.55V gate threshold voltage at ID = 675mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C, (after 1ms pulse at VGS = +20V)
- 20mW max power dissipation at TNTC = 25°C
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Half Bridge
Trvalý Proud Drainu Id
720A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0031ohm
Počet Pinů
15Pinů
Prahové Napětí Vgs
5.55V
Provozní Teplota Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Typ Kanálu
Dvojí N Kanál
Napětí Drain Source Vds
3.3kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
15V
Rozptýlený Výkon
20mW
Produktová Řada
XHP 2 Series
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů