Vytisknout stránku
FF6MR12W2M1B70BPSA1
MOSFET s Karbidem Křemíku, Half Bridge, N Kanál, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceFF6MR12W2M1B70BPSA1
Objednací kód3755140
Produktová ŘadaCoolSiC Trench
Alternativní označeníSP004486482, FF6MR12W2M1_B70
Technický list
Již se nevyrábí
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceFF6MR12W2M1B70BPSA1
Objednací kód3755140
Produktová ŘadaCoolSiC Trench
Alternativní označeníSP004486482, FF6MR12W2M1_B70
Technický list
Konfigurace MOSFET ModuluHalf Bridge
Typ KanáluN Kanál
Trvalý Proud Drainu Id200A
Napětí Drain Source Vds1.2kV
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.00563ohm
Druh Pouzdra TranzistoruModule
Počet Pinů38Pinů
Rds(on) Testovací Napětí Vgs15V
Prahové Napětí Vgs4.5V
Rozptýlený Výkon-
Provozní Teplota Max150°C
Produktová ŘadaCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Technické specifikace
Konfigurace MOSFET Modulu
Half Bridge
Trvalý Proud Drainu Id
200A
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.00563ohm
Počet Pinů
38Pinů
Prahové Napětí Vgs
4.5V
Provozní Teplota Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Typ Kanálu
N Kanál
Napětí Drain Source Vds
1.2kV
Druh Pouzdra Tranzistoru
Module
Rds(on) Testovací Napětí Vgs
15V
Rozptýlený Výkon
-
Produktová Řada
CoolSiC Trench
Technické dokumenty (2)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00542