Vytisknout stránku
GS66516BMRXUSA1
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
250 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 1+ | 1 194.215 Kč |
| 5+ | 1 127.546 Kč |
| 10+ | 1 058.840 Kč |
| 50+ | 1 023.322 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 1
Více: 1
1 194.22 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceGS66516BMRXUSA1
Objednací kód4715923
Technický list
Napětí Drain Source Vds650V
Trvalý Proud Drainu Id60A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.032ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)14.2nC
Druh Pouzdra TranzistoruGaNPX
Montáž TranzistoruPovrchová Montáž
Počet Pinů6Pinů
Produktová Řada-
Kvalifikace-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
650V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.032ohm
Druh Pouzdra Tranzistoru
GaNPX
Počet Pinů
6Pinů
Kvalifikace
-
Trvalý Proud Drainu Id
60A
Náboj Hradla Typ (Qg)
14.2nC
Montáž Tranzistoru
Povrchová Montáž
Produktová Řada
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Thailand
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů