Vytisknout stránku
IGB070S10S1XTMA1
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGB070S10S1XTMA1
Objednací kód4680813RL
Alternativní označeníIGB070S10S1, SP006039129
Technický list
3 953 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 40.379 Kč |
| 500+ | 33.858 Kč |
| 1000+ | 28.842 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
4 157.90 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGB070S10S1XTMA1
Objednací kód4680813RL
Alternativní označeníIGB070S10S1, SP006039129
Technický list
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id38A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.007ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)6.1nC
Počet Pinů4Pinů
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.007ohm
Počet Pinů
4Pinů
Trvalý Proud Drainu Id
38A
Náboj Hradla Typ (Qg)
6.1nC
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00001
Sledovatelnost produktů