Vytisknout stránku
IGB110S10S1XTMA1
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGB110S10S1XTMA1
Objednací kód4680814RL
Alternativní označeníIGB110S10S1, SP005751575
Technický list
4 950 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 24.729 Kč |
| 500+ | 20.741 Kč |
| 1000+ | 17.681 Kč |
| 5000+ | 16.177 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 150
Více: 1
3 709.35 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGB110S10S1XTMA1
Objednací kód4680814RL
Alternativní označeníIGB110S10S1, SP005751575
Technický list
Napětí Drain Source Vds100V
Trvalý Proud Drainu Id23A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.011ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)3.4nC
Počet Pinů4Pinů
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
100V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.011ohm
Počet Pinů
4Pinů
Trvalý Proud Drainu Id
23A
Náboj Hradla Typ (Qg)
3.4nC
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00001