Vytisknout stránku
IGC025S08S1XTMA1
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGC025S08S1XTMA1
Objednací kód4680816RL
Alternativní označeníIGC025S08S1, SP006027447
Technický list
4 989 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 59.941 Kč |
| 500+ | 50.160 Kč |
| 1000+ | 42.887 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 150
Více: 1
8 991.15 Kč (bez DPH)
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGC025S08S1XTMA1
Objednací kód4680816RL
Alternativní označeníIGC025S08S1, SP006027447
Technický list
Napětí Drain Source Vds80V
Trvalý Proud Drainu Id86A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0025ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)12nC
Počet Pinů6Pinů
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
80V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0025ohm
Počet Pinů
6Pinů
Trvalý Proud Drainu Id
86A
Náboj Hradla Typ (Qg)
12nC
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00001