Vytisknout stránku
IGC037S12S1XTMA1
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGC037S12S1XTMA1
Objednací kód4680817RL
Alternativní označeníIGC037S12S1, SP006027453
Technický list
4 980 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 100+ | 60.944 Kč |
| 500+ | 51.163 Kč |
| 1000+ | 43.639 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 100
Více: 1
6 214.40 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGC037S12S1XTMA1
Objednací kód4680817RL
Alternativní označeníIGC037S12S1, SP006027453
Technický list
Napětí Drain Source Vds120V
Trvalý Proud Drainu Id71A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.0037ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)10nC
Počet Pinů6Pinů
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
120V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.0037ohm
Počet Pinů
6Pinů
Trvalý Proud Drainu Id
71A
Náboj Hradla Typ (Qg)
10nC
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Malaysia
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Ano
RoHS
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.00001
Sledovatelnost produktů