Vytisknout stránku
IGLD65R055D2AUMA1
Tranzistor z Nitridu Galia (GaN), 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Povrchová Montáž
Obrázky mají pouze ilustrativní charakter. Prosím projděte si popis produktu.
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGLD65R055D2AUMA1
Objednací kód4680830RL
Alternativní označeníIGLD65R055D2, SP005825087
Technický list
2 485 Skladem
Potřebujete další?
Dodání do 1 až 2 pracovních dnů
Objednávky do 17:00, standardní doručení
| Množství | |
|---|---|
| 10+ | 171.296 Kč |
| 100+ | 149.477 Kč |
| 500+ | 134.680 Kč |
| 1000+ | 124.898 Kč |
Cena za:Každý (Dodáváno na Stříhané Pásce)
Minimálně: 10
Více: 1
1 832.96 Kč (bez DPH)
K tomuto produktu bude naúčtován poplatek za převíjení ve výši 120.00 Kč
Přidat č. dílu / poznámku k řádku
Přidáno do potvrzení objednávky, faktury a expedice pouze pro tuto objednávku.
Toto číslo bude přidáno do kolonky Potvrzení objednávky, Faktury, Zásilky, Webového potvrzovacího emailu a Produktového štítku.
Informace o produktu
VýrobceINFINEON
Č. dílu výrobceIGLD65R055D2AUMA1
Objednací kód4680830RL
Alternativní označeníIGLD65R055D2, SP005825087
Technický list
Napětí Drain Source Vds650V
Trvalý Proud Drainu Id20A
Odpor Drain-Source při Zapnutí0.07ohm
Náboj Hradla Typ (Qg)4.7nC
Počet Pinů8Pinů
Technické specifikace
Napětí Drain Source Vds
650V
Odpor Drain-Source při Zapnutí
0.07ohm
Počet Pinů
8Pinů
Trvalý Proud Drainu Id
20A
Náboj Hradla Typ (Qg)
4.7nC
Technické dokumenty (1)
Legislativa a životní prostředí
Země původu:
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Country in which last significant manufacturing process was carried outZemě původu:Germany
Country in which last significant manufacturing process was carried out
Tarif č.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Vyhovuje směrnici RoHS:Ano
RoHS
Vyhovuje směrnici RoHS o ftalátech:Bude posouzeno
Stáhnout osvědčení o shodě
Osvědčení o shodě
Hmotnost (kg):.000001
Sledovatelnost produktů